炭化ケイ素(SiC)基板市場2025年(世界主要地域と日本市場規模を掲載):4インチ、6インチ、8インチ
世界の炭化ケイ素(SiC)基板市場規模は2024年に10億1500万米ドルであり、2025年から2031年の予測期間中に年平均成長率(CAGR)14.6%で成長し、2031年までに26億6600万米ドルに拡大すると予測されています。 2025年までに、米国関税政策の変遷は世界経済情勢に大きな不確実性をもたらす見込みである。本報告書は最新の米国関税措置と世界各国の対応政策を分析し、シリコンカーバイド(SiC)基板市場の競争力、地域経済パフォーマンス、サプライチェーン構成への影響を評価する。
炭化ケイ素(SiC)基板は、第三世代半導体材料の中核基盤であり、炭化ケイ素単結晶から成長させる。広いバンドギャップ(3.26 eV)、高い臨界破壊電界強度(3 MV/cm)、高い熱伝導率(4.9 W/cm・K)を特徴とし、高温・高周波・高電力用途に適している。その主な機能は、SiCパワーデバイス(MOSFETやダイオードなど)の物理的基板として機能し、エピタキシャル成長によって形成された機能層を支えることである。
新エネルギー車のブーム:800V高電圧プラットフォームの普及により、SiC主駆動インバーターの普及率は2023年の15%から2026年には45%へ上昇。Xpeng G6やZeekr Xなどのモデルでは既に標準装備化されている。
太陽光発電・蓄電革命:ファーウェイの200kWストリングインバーターは完全SiCソリューションを採用し、99.1%の効率を達成(シリコン系IGBT比0.8ポイント向上)。CATLの蓄電システムはSiC DC/DCコンバーターを組み込み、体積を40%削減。
強力な政策支援:中国は結晶成長炉やイオン注入装置などの国産設備に対し30%の調達補助金を支給。米国のCHIPS法は炭化ケイ素プロジェクトへの資金支援を規定(ただし2025年以降の政策には不確実性あり)。
技術的ブレークスルーの方向性
サイズアップグレード:8インチ基板のウェハー単価は6インチ基板より35%低減。Wolfspeedや天越先進などの企業は量産を達成しているが、世界平均の歩留まり率は依然として50%未満である。結晶成長効率(PVT法サイクルを100時間から70時間に短縮)とマイクロチャネル密度(<0.5 cm⁻²)の分野でブレークスルーが必要。
材料革新:
液相エピタキシー(LPE):天悦先進はLPEを用いて成長速度を3倍に増加させ、歩留まりは国際基準に近づいている。
ヘテロ接合技術:コヒーレント社はSiC/GaNヘテロ接合技術を開発し、5G基地局向け効率90%超の突破を実現。
エネルギー革命の「基盤材料」として、SiC基板は技術検証段階から量産拡大期へ移行中。装置依存や歩留まり課題はあるものの、8インチ量産化・材料革新・政策支援が業界急成長を牽引。今後5年間で、中国メーカーはコスト優位性と生産能力拡大を武器に、欧米諸国による独占状態を徐々に打破し、世界のSiCサプライチェーンにおける中核的存在となる見込みです。
世界の炭化ケイ素(SiC)基板市場は、企業別、地域別(国別)、タイプ別、用途別に戦略的にセグメント化されている。本レポートは、2020年から2031年までの地域別、タイプ別、用途別の売上高、収益、予測に関するデータ駆動型の洞察を通じて、ステークホルダーが新たな機会を活用し、製品戦略を最適化し、競合他社を凌駕することを可能にする。
市場セグメンテーション
企業別:
Cree (Wolfspeed)
II-VIアドバンストマテリアルズ
ROHM
ノーステル
SICCマテリアルズ
Showa Denko
タンケブルー・セミコンダクター
SK Siltron
JSG
セミシック
タイプ別:(主力セグメント対高収益イノベーション)
4インチ
6インチ
8インチ
用途別:(中核需要ドライバー対新興機会)
パワーデバイス
RFデバイス
その他
地域別
マクロ地域別分析:市場規模と成長予測
– 北米
– ヨーロッパ
– アジア太平洋
– 南米
– 中東・アフリカ
マイクロローカル市場の詳細分析:戦略的インサイト
– 競争環境:既存プレイヤーの優位性と新興企業の台頭(例:欧州におけるCree(Wolfspeed))
– 新興製品トレンド:4インチ採用 vs. 6インチプレミアム化
– 需要側の動向:中国におけるパワーデバイスの成長 vs 北米におけるRFデバイスの潜在性
– 地域別消費者ニーズ:EUの規制障壁 vs. インドの価格感応度
重点市場:
北米
欧州
中国
日本
(追加地域はクライアントのニーズに基づきカスタマイズ可能です。)
章の構成
第1章:レポートの範囲、エグゼクティブサマリー、市場進化シナリオ(短期/中期/長期)。
第2章:世界、地域、国レベルにおける炭化ケイ素(SiC)基板の市場規模と成長可能性の定量分析。
第3章:メーカーの競争力ベンチマーク(収益、市場シェア、M&A、R&Dの重点分野)。
第4章:タイプ別セグメント分析 – ブルーオーシャン市場の発見(例:中国における6インチ)。
第5章:用途別セグメント分析-高成長下流分野の機会(例:インドにおけるRFデバイス)。
第6章:企業別・タイプ別・用途別・顧客別の地域別売上高および収益内訳。
第7章:主要メーカープロファイル – 財務状況、製品ポートフォリオ、戦略的展開。
第8章:市場動向 – 推進要因、抑制要因、規制の影響、リスク軽減戦略。
第9章:実践的結論と戦略的提言。
本レポートの意義
一般的なグローバル市場レポートとは異なり、本調査はマクロレベルの業界動向とハイパーローカルな運用インテリジェンスを組み合わせ、シリコンカーバイド(SiC)基板バリューチェーン全体におけるデータ駆動型の意思決定を支援し、以下の課題に対応します:
– 地域別の市場参入リスク/機会
– 現地慣行に基づく製品ミックス最適化
– 分散型市場と統合型市場における競合他社の戦略