ワイドバンドギャップ半導体材料＆デバイス市場2025年（世界主要地域と日本市場規模を掲載）：SiC基板＆エピタキシャルウェーハ、SiCパワーデバイス、GaN基板＆エピタキシャルウェーハ、GaNパワーデバイス

ワイドバンドギャップ半導体材料とは、バンドギャップが広い半導体材料を指します。バンドギャップとは、電子が価電子帯から伝導帯に移動するために必要なエネルギーの差を表し、材料の電気的特性に大きく影響します。一般的なシリコンのバンドギャップが約1.1電子ボルトであるのに対し、ワイドバンドギャップ半導体のバンドギャップは2電子ボルト以上のものが多く、高温や高電圧の環境でも安定した動作が可能です。

ワイドバンドギャップ半導体の代表的な材料には、窒化ガリウム（GaN）、炭化ケイ素（SiC）、酸化亜鉛（ZnO）、酸化ガリウム（Ga2O3）などがあります。これらの材料は、それぞれ特有の特性を持ち、特定のアプリケーションに適した特性を発揮します。

窒化ガリウムは主に高出力・高周波デバイスに使用されます。LED技術やレーザーに用いられ、高効率な光源として多くの用途があります。また、高電圧トランジスタにおいても性能が求められるデバイスで活躍しています。一方、炭化ケイ素は電力デバイスに特化しており、高温環境下でも使用可能な特性を持っています。電気自動車や再生可能エネルギーシステムなど、パワーエレクトロニクスの領域で需要が急速に高まっています。

ワイドバンドギャップ半導体材料は、従来のシリコン半導体に比べて高い効率性、耐熱性、および耐電圧性を持っています。そのため、高電力変換、RF（高周波）通信、パワーエレクトロニクス、センサー技術、さらに航空宇宙や自動車産業など幅広い分野での応用が進められています。また、これらの材料を用いたデバイスは、エネルギー効率を向上させることができ、持続可能な社会の実現に寄与することが期待されています。

ワイドバンドギャップ半導体デバイスの設計には、関連技術の進展も欠かせません。例えば、脂質電解質（LUMO）やトンネルバリスタなど新しい発想によるデバイスアーキテクチャが開発されており、これにより高効率なエネルギー変換が可能になります。さらに、ナノテクノロジーや薄膜製造技術の発展も、これらの材料の性能を向上させる要因となっています。ワイドバンドギャップ半導体デバイスの製造プロセスにおいては、エピタキシャル成長技術やバルク成長技術が多く用いられ、その品質にこだわることが求められます。

しかし、ワイドバンドギャップ半導体材料には課題も存在します。製造コストが高く、市場における普及が進んでいないという側面があります。また、高品質の結晶成長が求められ、製造技術の確立が今後の進展において鍵となるでしょう。それでも、環境問題への関心が高まる中で、ワイドバンドギャップ半導体材料の重要性は増しており、エネルギー効率の向上や新しい技術の開発に貢献すると期待されています。

今後の研究開発では、新しい製造方法や材料の探索が進み、さらなる性能向上が図られるでしょう。ワイドバンドギャップ半導体は、持続的な技術革新を支える重要な材料であり、エレクトロニクスやエネルギー技術の未来を切り拓く存在となることが期待されています。

世界のワイドバンドギャップ半導体材料＆デバイス市場規模は、2024年に81億1900万米ドルであり、2025年から2031年の予測期間中に年平均成長率（CAGR）15.6％で成長し、2031年までに238億5400万米ドルに拡大すると予測されている。ワイドバンドギャップ（WBG）半導体材料＆デバイスには、炭化ケイ素（SiC）基板＆エピタキシャルウェーハ、窒化ガリウム（GaN）基板＆エピタキシャルウェーハ、ならびにこれらの材料から製造されたパワーデバイス（SiCパワーデバイス＆GaNパワーデバイスを含む）が含まれる。従来のシリコンと比較して、WBG材料はより広いバンドギャップ、より高い破壊電界、優れた熱伝導性、＆より強力な高温動作を提供し、デバイスが高電圧、高周波、高電力密度アプリケーションにおいて低損失と高効率を達成することを可能にします。製品別では、SiCデバイスは主にMOSFET、JFET、ショットキーダイオード、パワーモジュールを含みます。GaNデバイスはHEMT、GaN FET、高速充電やサーバー電源で広く使用されるパワーデバイスで構成される。材料面では、SiC基板は現在6インチが主流で8インチウェーハへ移行中であり、GaNは主にシリコンまたはSiC基板上でのエピタキシャル成長によって開発されている。
現在、ワイドバンドギャップ半導体産業は急速な成長を遂げている。応用分野は主にEV駆動用インバータ、車載充電器（OBC）、急速充電ステーション、太陽光・風力発電用インバータ、データセンター電源、高性能コンピューティング、5G通信基地局に集中している。成長要因としては、電気自動車の普及拡大、政府のクリーンエネルギー・カーボンニュートラル政策、高効率パワーエレクトロニクスへの需要増加、エピタキシャル成長・デバイス製造・パッケージング技術の進歩による継続的なコスト削減が挙げられる。主要な機会は、EVの電動化、エネルギー貯蔵システム、データセンター市場にある。しかし、SiC基板とGaNエピタキシーの高コスト、製造歩留まりとデバイス信頼性の課題、高い資本集約度、サプライチェーンの集中、特定エンド市場における長い認証サイクルなど、いくつかの障壁が依然として存在する。
競争環境においては、SiC材料・デバイス分野をWolfspeed、STMicroelectronics、Infineon、ROHM、onsemiが主導し、これら5社で世界市場の70%以上を占める。GaN分野では、Navitas、GaN Systems、Transphormなどの新興企業がInfineonやonsemiといったIDMと競合し、主に民生用急速充電、サーバー電源、自動車電子機器向けに展開している。材料分野では、住友電気工業、II-VI（コヒーレント）、サナン・オプトエレクトロニクス、CRマイクロ、中国のタンケボダなどが主要プレイヤーである。SiC・GaN材料・デバイス分野における中国メーカーの急成長とファウンドリ型ビジネスモデルの拡大に伴い、ワイドバンドギャップ半導体業界のグローバル競争は激化すると予測され、今後数年間で市場シェア構造の多様化が進む見込みである。
世界のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場は、企業別、地域別（国別）、タイプ別、用途別に戦略的にセグメント化されています。本レポートは、2020年から2031年までの地域別、タイプ別、用途別の収益と予測に関するデータ駆動型の洞察を通じて、ステークホルダーが新たな機会を活用し、製品戦略を最適化し、競合他社を凌駕することを可能にします。
市場セグメンテーション
企業別：
オンセミ
STマイクロエレクトロニクス
インフィニオン（GaNシステムズ）
Wolfspeed
BYD Semiconductor
Bosch
ユナイテッド・ノヴァ・テクノロジー
イノサイエンス
Navitas (GeneSiC)
広東アコパワー半導体
ローム
サンアン・オプトエレクトロニクス
Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Power Integrations, Inc.
SemikronDanfoss
ローム
BASiC Semiconductor
富士電機
Zhuzhou CRRC Times Electric
コヒーレント
レゾナック
SK Siltron
SICC
タンケブルー半導体
河北シンライトクリスタル
CETC（Shuoke）
TYSiC
Epiworld International
IQE
ソイテック（エピGaN）
住友電気デバイスイノベーションズ（SEDI）（SCIOCS）
日本電気化学株式会社
DOWAエレクトロニクス
Episil-Precision Inc
インベントチップテクノロジー
マイクロチップ（マイクロセミ）
中国電子科技集団公司55所
東芝
WeEn Semiconductors
リテルヒューズ（IXYS）
ルネサスエレクトロニクス（トランスフォーム）
揚州揚傑電子技術
Vishay Intertechnology
中国資源マイクロエレクトロニクス有限公司
Nexperia
SKパワーテック
テキサス・インスツルメンツ
Alpha & Omega Semiconductor
サンレックス
StarPower
Changzhou Galaxy Century Microelectronics
GE エアロスペース
杭州シランマイクロエレクトロニクス
KEC
PANJIT Group
ダイオード社
Cissoid
タイプ別：（主力セグメント対高マージン革新）
SiC基板＆エピタキシャルウェーハ
SiCパワーデバイス
GaN基板＆エピタキシャルウェーハ
GaNパワーデバイス
用途別：（中核需要ドライバー対新興機会）
自動車
EV充電
産業用モーター／ドライブ
太陽光発電、エネルギー貯蔵、風力発電
UPS、データセンター＆サーバー
鉄道輸送
民生用電子機器
防衛・航空宇宙
その他
地域別
マクロ地域別分析：市場規模と成長予測
– 北米
– ヨーロッパ
– アジア太平洋
– 南米
– 中東・アフリカ
マイクロローカル市場の詳細分析：戦略的インサイト
– 競争環境：主要プレイヤーの優位性と新興企業の台頭（例：欧州におけるオンセミコンダクター）
– 新興製品トレンド：SiC基板・エピタキシャルウェーハの採用 vs. SiCパワーデバイスのプレミアム化
– 需要側の動向：中国における自動車市場の成長 vs 北米におけるEV充電インフラの潜在性
– 地域別消費者ニーズ：EUの規制障壁 vs. インドの価格感応度
重点市場：
北米
欧州
日本
中国
（追加地域はクライアントのニーズに基づきカスタマイズ可能です。）
章の構成
第1章：レポート範囲、エグゼクティブサマリー、市場進化シナリオ（短期/中期/長期）。
第2章：ワイドバンドギャップ半導体材料＆デバイスの市場規模と成長可能性に関する定量分析（グローバル、地域、国レベル）。
第3章：メーカーの競争力ベンチマーク（収益、市場シェア、M&A、R&Dの重点分野）。
第4章：タイプ別セグメント分析 – ブルーオーシャン市場の発見（例：中国におけるSiCパワーデバイス）。
第5章：用途別セグメント分析－高成長下流市場機会（例：インドにおけるEV充電）
第6章：企業別・タイプ別・用途別・顧客別の地域別収益内訳。
第7章：主要メーカープロファイル – 財務状況、製品ポートフォリオ、戦略的展開。
第8章：市場動向 – 推進要因、抑制要因、規制の影響、リスク軽減戦略。
第9章：実践的結論と戦略的提言
本レポートの意義
一般的なグローバル市場レポートとは異なり、本調査はマクロレベルの業界動向とハイパーローカルな運用インテリジェンスを融合。ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイスバリューチェーン全体におけるデータ駆動型意思決定を支援し、以下に対応：
– 地域別の市場参入リスク／機会
– 現地慣行に基づく製品構成の最適化
– 分散型市場と統合型市場における競合他社の戦略

1 レポート概要
1.1 研究範囲
1.2 タイプ別市場
1.2.1 タイプ別グローバル市場規模の成長：2020年対2024年対2031年
1.2.2 SiC基板＆エピタキシャルウェーハ
1.2.3 SiCパワーデバイス
1.2.4 GaN基板＆エピタキシャルウェーハ
1.2.5 GaNパワーデバイス
1.3 用途別市場
1.3.1 用途別グローバル市場シェア：2020年 VS 2024年 VS 2031年
1.3.2 自動車
1.3.3 EV充電
1.3.4 産業用モーター／ドライブ
1.3.5 太陽光発電、エネルギー貯蔵、風力発電
1.3.6 UPS、データセンター＆サーバー
1.3.7 鉄道輸送
1.3.8 家電
1.3.9 防衛・航空宇宙
1.3.10 その他
1.4 前提条件と制限事項
1.5 研究目的
1.6 対象年度
2 世界の成長動向
2.1 世界のワイドバンドギャップ半導体材料＆デバイス市場の展望（2020-2031年）
2.2 地域別グローバル市場規模：2020年 VS 2024年 VS 2031年
2.3 地域別グローバルワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス収益市場シェア（2020-2025年）
2.4 地域別グローバルワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス収益予測（2026-2031年）
2.5 主要地域＆新興市場分析
2.5.1 北米のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場規模と展望（2020-2031年）
2.5.2 欧州のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場規模と展望（2020-2031年）
2.5.3 日本のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場規模と展望（2020-2031年）
2.5.4 中国のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場規模と展望（2020-2031年）
3 タイプ別内訳データ
3.1 世界のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場：タイプ別過去市場規模（2020-2025年）
3.2 世界のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場規模予測（タイプ別）（2026-2031年）
3.3 各種ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイスの代表的なプレーヤー
4 用途別内訳データ
4.1 用途別グローバルワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場規模（過去実績：2020-2025年）
4.2 用途別グローバルワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス予測市場規模（2026-2031年）
4.3 ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス用途における新たな成長源
5 主要企業別競争環境
5.1 収益別グローバル主要プレイヤー
5.1.1 売上高別グローバル主要ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス企業（2020-2025年）
5.1.2 主要企業別グローバルワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス収益市場シェア（2020-2025年）
5.2 企業タイプ別グローバル市場シェア（ティア1、ティア2、ティア3）
5.3 対象企業：ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス収益によるランキング
5.4 世界のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場の集中度分析
5.4.1 世界のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場における集中比率（CR5＆HHI）
5.4.2 2024年におけるワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス収益に基づくグローバルトップ10＆トップ5企業
5.5 ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイスのグローバル主要プレイヤー：本社所在地とサービス提供地域
5.6 ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイスのグローバル主要プレイヤー、製品及び用途
5.7 ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイスのグローバル主要企業、業界参入時期
5.8 M&A、拡張計画
6 地域別分析
6.1 北米市場：主要企業、セグメント及び下流産業
6.1.1 北米におけるワイドバンドギャップ半導体材料・デバイスの企業別収益（2020-2025年）
6.1.2 北米市場規模（タイプ別）
6.1.2.1 北米ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場規模（タイプ別）（2020-2025年）
6.1.2.2 北米ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場におけるタイプ別シェア（2020-2025年）
6.1.3 北米市場規模（用途別）
6.1.3.1 北米ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場規模：用途別（2020-2025年）
6.1.3.2 北米ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場における用途別シェア（2020-2025年）
6.1.4 北米市場の動向と機会
6.2 欧州市場：主要企業、セグメント及び下流産業
6.2.1 欧州におけるワイドバンドギャップ半導体材料・デバイスの企業別収益（2020-2025年）
6.2.2 欧州市場規模（タイプ別）
6.2.2.1 欧州ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場規模（タイプ別）（2020-2025年）
6.2.2.2 欧州ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場におけるタイプ別シェア（2020-2025年）
6.2.3 用途別欧州市場規模
6.2.3.1 用途別欧州ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場規模（2020-2025年）
6.2.3.2 欧州ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場における用途別シェア（2020-2025年）
6.2.4 欧州市場の動向と機会
6.3 日本市場：主要企業、セグメント及び下流産業
6.3.1 日本におけるワイドバンドギャップ半導体材料・デバイスの企業別収益（2020-2025年）
6.3.2 日本市場規模（タイプ別）
6.3.2.1 日本のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場規模（種類別）（2020-2025年）
6.3.2.2 日本のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場におけるタイプ別シェア（2020-2025年）
6.3.3 日本における用途別市場規模
6.3.3.1 日本におけるワイドバンドギャップ半導体材料・デバイスの用途別市場規模（2020-2025年）
6.3.3.2 日本のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場における用途別シェア（2020-2025年）
6.3.4 日本市場の動向と機会
6.4 中国市場：主要企業、セグメント及び下流産業
6.4.1 中国のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場における企業別収益（2020-2025年）
6.4.2 中国市場規模（タイプ別）
6.4.2.1 中国ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場規模（種類別）（2020-2025年）
6.4.2.2 中国ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場におけるタイプ別シェア（2020-2025年）
6.4.3 中国市場規模（用途別）
6.4.3.1 中国ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場規模（用途別）（2020-2025年）
6.4.3.2 中国ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場における用途別シェア（2020-2025年）
6.4.4 中国市場の動向と機会
7 主要企業プロファイル
7.1 オンセミ
7.1.1 オンセミ会社概要
7.1.2 オンセミの事業概要
7.1.3 オンセミのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業概要
7.1.4 オンセミのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.1.5 オンセミの最近の動向
7.2 STマイクロエレクトロニクス
7.2.1 STマイクロエレクトロニクスの会社概要
7.2.2 STマイクロエレクトロニクスの事業概要
7.2.3 STマイクロエレクトロニクスワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業概要
7.2.4 STマイクロエレクトロニクスのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業の収益（2020-2025年）
7.2.5 STマイクロエレクトロニクスの最近の動向
7.3 インフィニオン（GaNシステムズ）
7.3.1 インフィニオン（GaNシステムズ）会社概要
7.3.2 インフィニオン（GaNシステムズ）事業概要
7.3.3 インフィニオン（GaNシステムズ）のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス導入状況
7.3.4 インフィニオン（GaNシステムズ）のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.3.5 インフィニオン（GaNシステムズ）の最近の動向
7.4 ウルフスピード
7.4.1 ウルフスピード会社概要
7.4.2 ウルフスピード事業概要
7.4.3 ウルフスピードのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス紹介
7.4.4 ウルフスピードのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.4.5 ウルフスピードの最近の動向
7.5 BYD Semiconductor
7.5.1 BYDセミコンダクター会社概要
7.5.2 BYDセミコンダクター事業概要
7.5.3 BYDセミコンダクターのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス紹介
7.5.4 BYDセミコンダクターのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.5.5 BYDセミコンダクターの最近の動向
7.6 ボッシュ
7.6.1 ボッシュ会社概要
7.6.2 ボッシュの事業概要
7.6.3 ボッシュのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業概要
7.6.4 ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業におけるボッシュの収益（2020-2025年）
7.6.5 ボッシュの最近の動向
7.7 ユナイテッド・ノヴァ・テクノロジー
7.7.1 ユナイテッド・ノヴァ・テクノロジー会社概要
7.7.2 ユナイテッド・ノヴァ・テクノロジー事業概要
7.7.3 ユナイテッド・ノヴァ・テクノロジーのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業紹介
7.7.4 ユナイテッド・ノヴァ・テクノロジーのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.7.5 ユナイテッド・ノヴァ・テクノロジーの最近の動向
7.8 イノサイエンス
7.8.1 イノサイエンス会社概要
7.8.2 イノサイエンス事業概要
7.8.3 イノサイエンスのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業概要
7.8.4 ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業におけるイノサイエンスの収益（2020-2025年）
7.8.5 イノサイエンスの最近の動向
7.9 ナビタス（GeneSiC）
7.9.1 ナビタス（GeneSiC）会社概要
7.9.2 ナビタス（GeneSiC）事業概要
7.9.3 ナビタス（ジーンシク）のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス導入状況
7.9.4 ナビタス（GeneSiC）のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.9.5 ナビタス（GeneSiC）の最近の動向
7.10 広東アコパワー半導体
7.10.1 広東アコパワー半導体会社概要
7.10.2 広東アコパワー半導体の事業概要
7.10.3 広東アコパワー半導体のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス紹介
7.10.4 広東アコパワー半導体のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.10.5 広東アコパワー半導体の最近の動向
7.11 ローム
7.11.1 ローム会社概要
7.11.2 ロームの事業概要
7.11.3 ロームのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス紹介
7.11.4 ロームのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業の収益（2020-2025年）
7.11.5 ロームの最近の動向
7.12 サンアン・オプトエレクトロニクス
7.12.1 サンアン・オプトエレクトロニクス会社概要
7.12.2 サンアン・オプトエレクトロニクスの事業概要
7.12.3 サンアン・オプトエレクトロニクスのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス紹介
7.12.4 サンアン・オプトエレクトロニクスのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.12.5 サンアン・オプトエレクトロニクスの最近の動向
7.13 イフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC）
7.13.1 イフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC）会社概要
7.13.2 イフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC）事業概要
7.13.3 イフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC）のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業紹介
7.13.4 Efficient Power Conversion Corporation (EPC) ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.13.5 イフィシェント・パワー・コンバージョン・コーポレーション（EPC）の最近の動向
7.14 パワー・インテグレーションズ社
7.14.1 パワー・インテグレーションズ社会社概要
7.14.2 パワー・インテグレーションズ社の事業概要
7.14.3 パワー・インテグレーションズ社ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業概要
7.14.4 パワー・インテグレーションズ社のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業の収益（2020-2025年）
7.14.5 パワー・インテグレーションズ社の最近の動向
7.15 セミクロン・ダンフォス
7.15.1 セミクロン・ダンフォス会社概要
7.15.2 セミクロン・ダンフォスの事業概要
7.15.3 セミクロン・ダンフォスのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス導入状況
7.15.4 セミクロン・ダンフォスのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.15.5 セミクロン・ダンフォスの最近の動向
7.16 三菱電機
7.16.1 三菱電機会社概要
7.16.2 三菱電機事業概要
7.16.3 三菱電機ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業概要
7.16.4 三菱電機ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業の収益（2020-2025年）
7.16.5 三菱電機の最近の動向
7.17 BASiC Semiconductor
7.17.1 BASiC Semiconductor 会社概要
7.17.2 BASiC Semiconductorの事業概要
7.17.3 BASiC Semiconductorのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス導入状況
7.17.4 BASiC Semiconductorのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.17.5 BASiC Semiconductorの最近の動向
7.18 富士電機
7.18.1 富士電機の詳細
7.18.2 富士電機事業概要
7.18.3 富士電機ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業概要
7.18.4 富士電機ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業の収益（2020-2025年）
7.18.5 富士電機社の近年の動向
7.19 株洲CRRCタイムズ電気
7.19.1 株洲CRRCタイムズ電気の詳細
7.19.2 株洲CRRCタイムズエレクトリック事業概要
7.19.3 株洲CRRCタイムズエレクトリックのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業紹介
7.19.4 株洲CRRCタイムズ電気のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.19.5 湖南CRRCタイムズエレクトリックの近況
7.20 コヒーレント
7.20.1 Coherent 会社概要
7.20.2 Coherentの事業概要
7.20.3 コヒーレントのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業紹介
7.20.4 ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業におけるコヒーレントの収益（2020-2025年）
7.20.5 コヒーレント社の最近の動向
7.21 レゾナック
7.21.1 レゾナック会社概要
7.21.2 レゾナック事業概要
7.21.3 レゾナックのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業紹介
7.21.4 レゾナックのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.21.5 レゾナックの最近の動向
7.22 SKシルトロン
7.22.1 SK Siltron 会社概要
7.22.2 SK Siltronの事業概要
7.22.3 SK Siltron ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業概要
7.22.4 SK Siltronのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.22.5 SK Siltron の最近の動向
7.23 SICC
7.23.1 SICC 会社概要
7.23.2 SICCの事業概要
7.23.3 SICC ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業概要
7.23.4 SICCのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.23.5 SICCの最近の動向
7.24 TankeBlue Semiconductor
7.24.1 TankeBlue Semiconductor 会社概要
7.24.2 TankeBlue Semiconductor 事業概要
7.24.3 TankeBlue Semiconductor ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス紹介
7.24.4 タンケブルー・セミコンダクターのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.24.5 タンケブルー・セミコンダクターの最近の動向
7.25 河北シンライトクリスタル
7.25.1 河北シンライトクリスタル会社概要
7.25.2 河北シンライトクリスタルの事業概要
7.25.3 河北シンライトクリスタルワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業紹介
7.25.4 河北シンライトクリスタルワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.25.5 河北シンライトクリスタルの最近の動向
7.26 CETC（シュオク）
7.26.1 CETC（Shuoke）会社概要
7.26.2 CETC（Shuoke）事業概要
7.26.3 CETC（Shuoke）のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業紹介
7.26.4 CETC（Shuoke）のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.26.5 CETC（Shuoke）の最近の動向
7.27 TYSiC
7.27.1 TYSiC 会社概要
7.27.2 TYSiC 事業概要
7.27.3 TYSiC ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス紹介
7.27.4 TYSiCのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.27.5 TYSiCの最近の動向
7.28 エピワールド・インターナショナル
7.28.1 エピワールド・インターナショナル会社概要
7.28.2 エピワールド・インターナショナル事業概要
7.28.3 エピワールド・インターナショナルのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業紹介
7.28.4 エピワールド・インターナショナルのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.28.5 エピワールド・インターナショナルの最近の動向
7.29 IQE
7.29.1 IQE 会社概要
7.29.2 IQEの事業概要
7.29.3 IQE ワイドバンドギャップ半導体材料＆デバイス紹介
7.29.4 IQEのワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.29.5 IQEの最近の動向
7.30 ソイテック（EpiGaN）
7.30.1 ソイテック（EpiGaN）会社概要
7.30.2 ソイテック（EpiGaN）事業概要
7.30.3 ソイテック（EpiGaN）のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス導入
7.30.4 ソイテック（EpiGaN）のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.30.5 ソイテック（EpiGaN）の最近の動向
7.31 住友電気デバイスイノベーションズ（SEDI）（SCIOCS）
7.31.1 住友電気デバイスイノベーションズ（SEDI）（SCIOCS）会社概要
7.31.2 住友電気デバイスイノベーションズ（SEDI）（SCIOCS）の事業概要
7.31.3 住友電気デバイスイノベーションズ（SEDI）（SCIOCS）ワイドバンドギャップ半導体材料＆デバイス概要
7.31.4 住友電気デバイスイノベーションズ（SEDI）（SCIOCS）のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.31.5 住友電気デバイスイノベーションズ（SEDI）（SCIOCS）の最近の動向
7.32 NTTアドバンストテクノロジー（NTT-AT）
7.32.1 NTTアドバンステクノロジ（NTT-AT）会社概要
7.32.2 NTTアドバンステクノロジ（NTT-AT）の事業概要
7.32.3 NTTアドバンステクノロジ（NTT-AT）のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業紹介
7.32.4 NTTアドバンステクノロジ（NTT-AT）のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.32.5 NTTアドバンステクノロジー（NTT-AT）の最近の動向
7.33 DOWAエレクトロニクス・マテリアルズ
7.33.1 DOWAエレクトロニクス・マテリアルズ会社概要
7.33.2 DOWAエレクトロニクス・マテリアルズ事業概要
7.33.3 DOWAエレクトロニクス・マテリアルズワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業紹介
7.33.4 広帯域ギャップ半導体材料・デバイス事業におけるDOWAエレクトロニクス・マテリアルズの収益（2020-2025年）
7.33.5 DOWAエレクトロニクス・マテリアルズの最近の動向
7.34 エピシル・プレシジョン株式会社
7.34.1 エピシル・プレシジョン株式会社会社概要
7.34.2 エピシル・プレシジョン株式会社事業概要
7.34.3 エピシル・プレシジョン株式会社のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業紹介
7.34.4 エピシル・プレシジョン株式会社のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.34.5 エピシル・プレシジョン社の最近の動向
7.35 インベントチップ・テクノロジー
7.35.1 InventChip Technology 会社概要
7.35.2 InventChip Technology 事業概要
7.35.3 InventChip Technology ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業概要
7.35.4 ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業におけるInventChip Technologyの収益（2020-2025年）
7.35.5 インベントチップ・テクノロジーの最近の動向
7.36 マイクロチップ（マイクロセミ）
7.36.1 マイクロチップ（マイクロセミ）会社概要
7.36.2 マイクロチップ（マイクロセミ）事業概要
7.36.3 マイクロチップ（マイクロセミ）のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業紹介
7.36.4 マイクロチップ（マイクロセミ）のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.36.5 マイクロチップ（マイクロセミ）の最近の動向
7.37 CETC 55
7.37.1 CETC 55 会社概要
7.37.2 CETC 55 事業概要
7.37.3 CETC 55 ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業概要
7.37.4 CETC 55 ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.37.5 CETC 55 の最近の開発動向
7.38 東芝
7.38.1 東芝会社概要
7.38.2 東芝の事業概要
7.38.3 東芝のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業紹介
7.38.4 東芝のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業の収益（2020-2025年）
7.38.5 東芝の最近の動向
7.39 WeEn Semiconductors
7.39.1 ウィーン・セミコンダクターズ会社概要
7.39.2 ウィーン・セミコンダクターズの事業概要
7.39.3 ウィーンセミコンダクターズワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業紹介
7.39.4 ウィーン・セミコンダクターズワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業の収益（2020-2025年）
7.39.5 ウィーエン・セミコンダクターズの最近の動向
7.40 リテルヒューズ（IXYS）
7.40.1 リテルヒューズ（IXYS）会社概要
7.40.2 リテルヒューズ（IXYS）事業概要
7.40.3 リテルヒューズ（IXYS）のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業紹介
7.40.4 リテルヒューズ（IXYS）のワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス事業における収益（2020-2025年）
7.40.5 リテルヒューズ（IXYS）の最近の動向
8 ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場の動向
8.1 ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス産業の動向
8.2 ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場の推進要因
8.3 ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場の課題
8.4 ワイドバンドギャップ半導体材料・デバイス市場の抑制要因
9 研究結果と結論
10 付録
10.1 研究方法論
10.1.1 方法論／調査アプローチ
10.1.1.1 研究プログラム／設計
10.1.1.2 市場規模の推定
10.1.1.3 市場細分化とデータ三角測量
10.1.2 データソース
10.1.2.1 二次情報源
10.1.2.2 一次情報源
10.2 著者情報
10.3 免責事項

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